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一種電沉積硅的方法張士憲

章微電子技術(shù)中圖形加工的方法.doc - 免費(fèi)查看全部 淘豆網(wǎng)

?每層薄膜有不同的電特性,可通過(guò)改變基片的性質(zhì)而得到,如摻雜和氧化,但也可以用蒸發(fā)和濺射的方法,在基片上沉積一 ... ***化鎵具有很高的遷移率,是一種重要的 ...

無(wú)電金屬沉積法硅納米線陣列的制備研究-【維普網(wǎng)】-倉(cāng)儲(chǔ)式 ...

并且硅納米線的長(zhǎng)度為30～50μm,直徑為200nm左右。無(wú)電金屬沉積法為硅納米線及其陣列的制備提供了一種設(shè)備簡(jiǎn)單、條件溫和的制備方法。 【分 類】 【數(shù)理科學(xué)和化學(xué)】 …

NaCl-KCl-NaF-SiO2熔鹽體系電沉積滲硅的研究 - 道客巴巴

... 063009摘要：在Kc卜NaCl-NaF-si0：熔鹽體系中，以鉬為基體，以電沉積法得到的硅為硅源，在電沉積硅的同時(shí)進(jìn)行滲硅，成功制備了M0_MoSi ...

----中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所

表面定向生長(zhǎng)二氧化鈦納米棒的空心玻璃微球的制備方法 發(fā)明 2012-11-14 一種 ... 無(wú)模板電化學(xué)沉積制備Te納米棒陣列的方法 發(fā)明 2012-7-4 一種稀土鋁硅酸鹽玻璃的制備 ...

非晶硅電池如何生產(chǎn)加工方法基本步驟工藝

6GHne1153828I、（一種非晶硅太陽(yáng)能電池的制造方法）. 7GHtv101944570I、（分級(jí)混合式非晶硅納米線太陽(yáng)能電池）. 8GHtv1025761I、（使得非晶硅電池變得更穩(wěn)定的 ...

溶膠凝膠法和沉淀法的本質(zhì)性區(qū)別 - 催化 - 小木蟲(chóng) - 學(xué)術(shù) 科研 ...

... 作用，中和而析出沉淀物，從而沉淀于被涂工件上。樹(shù)脂的氧化和金屬基體的溶解是陰極電沉積法的主要環(huán)節(jié)。 電化學(xué)輔助沉積技術(shù)，是一種與傳統(tǒng)浸泡方式 ...

一種有機(jī)薄膜器件的制備及電存儲(chǔ)特性_文庫(kù)下載

研究了一種金屬／有機(jī)物／金屬夾層結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜器件的可逆電雙穩(wěn)特性.器件的陽(yáng)極和陰極分別為真空熱蒸發(fā)沉積的Ag和～薄膜,中間介質(zhì)層為真空熱蒸發(fā)沉積的2 ...

薄膜太陽(yáng)能電池（一種新的能源材料）_百度百科

伽伐尼認(rèn)為，出現(xiàn)這種現(xiàn)象是因?yàn)閯?dòng)物軀體內(nèi)部產(chǎn)生的一種電，他稱之為“生物 ... 學(xué)家們極大興趣，他們競(jìng)相重復(fù)枷伐尼的實(shí)驗(yàn)，企圖找到一種產(chǎn)生電流的方法 ...

沉積_礦產(chǎn)百科_中國(guó)百科網(wǎng)

它也是濕法冶金中的一個(gè)重要過(guò)程。從溶液中沉積重金屬或它的化合物的方法很多，其中在混法冶金實(shí)踐中應(yīng)用廣泛的是置換法和電積法。 置換法是將一種 重金屬 ...

硅納米線的生長(zhǎng) - 豆丁網(wǎng)

硅納米線的制備方法目前主要有激光燒蝕、熱 氣相沉積、化學(xué)氣相沉積法等幾種． 這里我們用一種用固態(tài)硅源(硅襯底) 生長(zhǎng)硅納 米線的方法．由于氣氛中不存在硅源，不 ...

滲硅制備Mo-MOSi2梯度材料層的特性 - 道客巴巴

... ，北京to0083摘要；以Mo為基體，利用KCI-NaCl．NaF．sioD熔鹽體系電沉積出的硅作為滲硅硅源，電沉積硅和在Mo基體上 ... 梯度層表面基本只存在MoSi 2一種物質(zhì) ...

化學(xué)氣相沉積法CVD_百度文庫(kù)

2011-7-26?·?兩種或 兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)， 然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)， 形成一種新 的材料，沉積到 ... 和氧氣反應(yīng)也可能沉積出 SiO2 -兩種方法 …

非晶硅及其薄膜電池生產(chǎn)工藝技術(shù)配方大全|在線- ...

... 非晶硅碳合金雙層復(fù)合薄膜的方法02、用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶的掩膜及用此掩膜結(jié)晶非晶硅層的方法03、一種在玻璃基板上沉積氫化 ... 10、一種結(jié)晶非晶硅的方法 11 、非晶 ...

一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法CN201310125902.3-中國(guó)轉(zhuǎn) …

本發(fā)明公開(kāi)了一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法，包括如下步驟：在n型硅片的正面沉積非晶硅本征層，這里的n型硅片可以是單晶或是多晶硅片；在所述非晶 硅本征層上 ...

電解法_中國(guó)百科網(wǎng)

electrolysisprocess 利用多孔滲透性的材料作為電解槽內(nèi)的隔層，以分隔陽(yáng)極產(chǎn)物和陰極產(chǎn)物的電解方法。 ... 適用于溶液中只有一種金屬離子可被電沉積的場(chǎng)合。 亦可 ...

中山大學(xué)研制首張硅納米線紙_CNKI學(xué)問(wèn)

... .在科研工作者心中渴望了解碳納米管與的驚喜.碳納米管是一種性能優(yōu)越的新型功能材硅納米線 ... 目前,硅納米線的制備方法主要有:化學(xué)氣相沉積法、脈沖激光 燒蝕法 ...

一種太陽(yáng)能電池硅片拋光制絨的方法_201310008870.9_中電 ...

一種太陽(yáng)能電池硅片拋光制絨的方法，號(hào)：201310008870.9，申請(qǐng)(權(quán))人：中電電氣(南京)光伏有限公司，發(fā)明人：時(shí)寶 建波 黃海冰 郭樹(shù)恒 宣榮衛(wèi) 呂俊， ...

電積鈷生產(chǎn)方法,電沉積方法,電化學(xué)沉積,電化學(xué)沉積制備方法

12、鋰離子電池錫鈷合金薄膜電極電化學(xué)沉積制備方法 13、一種電積生產(chǎn)鈷的陽(yáng)極液處理方法 推廣期間全套技術(shù)光盤僅售200 元 ...

一種鋅鎂合金鍍層的制備方法|行業(yè)法規(guī)及電鍍|資訊|中國(guó) ...

本發(fā)明涉及一種在酸性水溶液中電沉積 制備鋅鎂合金鍍層的方法，屬金屬表面防腐處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的制備方法步驟如下：(1)配制酸性鍍液，即濃度為50～150g/L的 ...

多層二硫化鉬薄膜的制備及其接觸電極研究_文檔資料共享網(wǎng)

多層二硫化鉬薄膜的制備及其接觸電極研究 【摘要】單分子層二硫化鉬（MoS2）是一種具有直接 ... 本文用單槽電沉積法制備不同調(diào)制波長(zhǎng)的Cu/Ni金屬多層膜,用雙槽電沉積 ...

【非晶硅制備與應(yīng)用技術(shù)價(jià)格_非晶硅制備與應(yīng)用技術(shù) ...

非晶硅制備與應(yīng)用技術(shù)1．利用掩膜使非晶硅結(jié)晶的方法 2．用于連續(xù)橫向固化的非晶硅淀積 3．一種結(jié)晶非晶硅的方法 4．非晶硅結(jié)晶法 ... 119．一種大面積沉積非晶硅 ...

... 背面鈍化的選擇性發(fā)射結(jié)硅太陽(yáng)能電池的制備方法 ...

本發(fā)明涉及硅太陽(yáng)能電池的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種具有背面鈍化的選擇性發(fā)射結(jié)硅太陽(yáng)能電池的制備方法：將硅片進(jìn)行清洗制絨；采用熱氧化的方法在硅片表面生長(zhǎng)一層 ...

微機(jī)電系統(tǒng) - 維基百科

微機(jī)電系統(tǒng)（ 英語(yǔ)： Microelectromechanical Systems，縮寫為MEMS）是將微電子技術(shù)與機(jī)械工程融合到一起的一種 ... 體型微加工與深層刻蝕類似，是另一種去除硅的方法 ...

一種提高柵氧化物介電常數(shù)的方法 - 真空技術(shù)網(wǎng)

本文通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)柵氧制備工藝中PNA 單一高溫退火工藝的溫度、氣體氛圍做了優(yōu)化，提供了一種通過(guò)提高柵氧化物氮含量來(lái)提高其介電常數(shù)的方法。

電泳沉積實(shí)驗(yàn)方案_百度文庫(kù)

2011-12-2?·?實(shí)驗(yàn)原理： 電泳沉積（Electrophoretic deposition,EPD）是一個(gè)復(fù)雜的電化學(xué)過(guò)程，主要 包括電泳、電沉積、電解 ... 的特點(diǎn)： 電泳沉積是一種材料制備的電化學(xué)方法 ...

一種硅基氧化鋅紫外電致發(fā)光器件及其制備方法

申請(qǐng)?zhí)枺?200510061603.3 類別：發(fā)明 摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基氧化鋅紫外電致發(fā)光器件及其制備方法。該器件在硅襯底的正面自下而上依次沉積 ZnO 薄膜 …

熔鹽電沉積法制備Fe-6.5wt%Si薄板研究 - 中國(guó)論文下載 ...

... 的方法,本文利用熔鹽電沉積法在Fe-3wt%Si薄板上制備該合金,為該合金薄帶的開(kāi)發(fā)開(kāi)創(chuàng)了一種新 ... 對(duì)FLINAK熔鹽體系電沉積硅的工藝條件進(jìn)行了研究,利用金相顯微 ...

PECVD沉積的氮化硅薄膜熱處理性質(zhì)研究 - 豆丁網(wǎng)

... （PECVD） 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，是利用輝光放電的物理作用來(lái)激活粒子的一 種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，是 集等離子體輝光放電與化學(xué)氣相沉積于一體的薄膜沉積 ...

一種繼電器模塊控制系統(tǒng)及工作方法_查詢_下載_ ...

薄膜沉積方法 本發(fā)明提供一種在基片表面沉積導(dǎo)電層的薄膜沉積方法，其中，所述方法包括：S1 、在基片的上表面 一種納米金剛石薄膜及其制備方法 本發(fā)明公開(kāi) ...

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