SiC單晶片加工工藝優(yōu)化及其表面表征 瀏覽次數(shù):2 內(nèi)容提示:jj。一。I一, .』■jI加_ +:?,、j 7影7,、∥ 一一。 。j:?t: I冬一一一彩∥ 00,而在眾多的外延晶片表面缺陷中,三角型缺陷的數(shù)量多,器件失效率 高,因此,減少三角型缺陷的產(chǎn)生成為 SiC 外延工 藝優(yōu)化的 [67] 。在此背景下,

SiCAl3Ti協(xié)同增強(qiáng)7075鋁基復(fù)合材料攪拌工藝優(yōu)化研究 Optimization Study on Stirring Process for Si CAl3Ti Synergistically Enhanced 7075 Aluminum Matrix,摘要:通過光學(xué)顯微鏡和表面缺陷檢測(cè)儀對(duì)4HSiC外延晶片表面三角型缺陷進(jìn)行觀測(cè)和分析,發(fā)現(xiàn)三角型缺陷大致可以分為兩類:頭部無任何異物的三角型缺陷和

納米SiC顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料半固態(tài)攪拌法制備工藝優(yōu)化 Process Optimization of SiC Nanoparticle Reinforced Magnesium Matrix Composites Prepared by Semisolid,本文研究了4HSiC DSRD的優(yōu)化設(shè)計(jì)并對(duì)關(guān)鍵的工藝難點(diǎn)進(jìn)行了探索。首先建立了4HSiC DSRD二維數(shù)值模型,結(jié)合電路仿真討論了1.2kV 4HSiC DSRD體結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)

本文以SIC公司為研究對(duì)象,綜合運(yùn)用供應(yīng)鏈,供應(yīng)鏈管理,以及庫存管理的相關(guān)理論,對(duì)供應(yīng)鏈環(huán)境下的庫存管理進(jìn)行了研究,通過比較幾種供應(yīng)鏈庫存管理模式(VMI、JMI和CFPR,【摘要】:實(shí)驗(yàn)選用無水乙醇為液相介質(zhì),聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作為修飾劑,采用高能球磨法,成功制備出分散良好的納米碳化硅粉。通過正交實(shí)驗(yàn),分析了球磨時(shí)間、碳化硅顆粒

摘要: 碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用廣泛。如何獲得高質(zhì)量的晶片表面,是目前必須解決的重要問題。本論文通過線切割、研磨、化學(xué)機(jī)械拋光及西安工業(yè),研究了SiC單晶的生長(zhǎng)工藝,分析了在溫度及溫度梯度一定時(shí),壓強(qiáng)對(duì)SiC晶體表面形態(tài)的影響,目的是優(yōu)化SiC單晶的生長(zhǎng)工藝。分析了釩(V)摻雜SiC中V摻入量的影響因素,并

工 學(xué)指 指導(dǎo)導(dǎo)教教師: 蒲紅斌 教授申 申請(qǐng)請(qǐng)日日期: 3 2013 年年 6 06 月新型SiC二極管的結(jié)構(gòu)優(yōu)化及其工藝流程設(shè)計(jì)苗東銘西安理工大學(xué) 獨(dú) 倉刂性 聲,(C 超精密研磨工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)學(xué)生姓名: 所在院系: 機(jī)電學(xué)院 所學(xué)專業(yè): 機(jī)械天然碳化硅在自然界中存在很少,工 業(yè)中使用的碳化硅微粉大多是由人工

(JBS,Junction Barrier Schottky diode)的門限電壓,本文提出了一種新型SiC二極管Silvaco軟件對(duì)該新型二極管開展結(jié)構(gòu)尺寸和材料參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)工作,并,【摘要】:通過光學(xué)顯微鏡和表面缺陷檢測(cè)儀對(duì)4HSiC外延晶片表面三角型缺陷進(jìn)行觀測(cè)和分析,發(fā)現(xiàn)三角型缺陷大致可以分為兩類:頭部無任何異物的三角型缺陷和頭部帶有

性能的高碳/低碳Si C纖維(BN界面)增強(qiáng)Si(B)CN基復(fù)合材料,并進(jìn)一步優(yōu)化其吸波1 葉昉結(jié)構(gòu)吸波型SiC_f/Si(B)CN的設(shè)計(jì)/制備基礎(chǔ)與性能優(yōu)化[D]西北工業(yè)大學(xué),為此,本文采用軟件仿真方法,以20kVSiC門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)為例,開展超高壓SiC pGTO晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化研究工作,研究器件的開通機(jī)制以及溫度和少子壽命對(duì)器件

本論文主要進(jìn)行碳化硅單晶拋光片加工技術(shù)的研究,在研究過程中,結(jié)合本實(shí)驗(yàn)室已 經(jīng)總結(jié)出的的SiC單晶加工的參數(shù),進(jìn)一步優(yōu)化SiC單晶片的加工工藝技術(shù),進(jìn),分類號(hào)UDC 1108090469Si SiC異質(zhì)結(jié)制備工藝優(yōu)化及其特性分析 2014年3月Si SiC異質(zhì)結(jié)制備工藝及其特性分析 西安理工大學(xué)目錄 Si6H SiC異質(zhì)結(jié)研究背景意

內(nèi)容提示: 分類號(hào) 學(xué)號(hào) M201672102 代碼 10487 密級(jí) 碩士學(xué)位論文 SiC DSRD 器件 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 與 關(guān)鍵 工藝 研究 學(xué)位申請(qǐng)人: 子越 學(xué)科專業(yè): 微,