天科合達走出碳化硅自主創(chuàng)新路

天科合達 NEEQ:870013 北京天科合達半導體股份有限公司 (TanKeBlueSemiconductorCo.,Ltd) 年度報告 2018 公司年度大事記 公司2018年11月30日取得授權發(fā)明 1項。 發(fā)明名稱:一種在含氧氣氛下生 長高質(zhì)量碳化硅晶體的方法。 號: ZL201410758917.8 公司2018年11月20日取得了計算機 軟件著作權1項。

國內(nèi)進行碳化硅襯底生產(chǎn)的天科合達,大批量生產(chǎn)中其綜合成品率僅為 30%[3]。 目前國內(nèi)生產(chǎn)所需的近一半的高亮 LED 芯片依靠進口。 截 2009 年 8 月,大陸 54%的 LED 芯片企業(yè)為外 資或中外 …

在質(zhì)疑與支持的兩種聲音中,硅襯底LED技術經(jīng)過19年的攻關,如今宣稱獲得新突破,是時候走出實驗室,實現(xiàn)規(guī)?;涞亍D敲?硅襯底LED如何才能實現(xiàn)從"獨角戲"到"大眾舞",從江西一省走向全國,從晶能光電一個企業(yè)貫穿中國LED全產(chǎn)業(yè)鏈。

中國科學院物理研究所陳小龍研究員帶領他的團隊,長期聚焦于碳化硅晶體生長,走出了一條從基礎研究到產(chǎn)業(yè)化的自主創(chuàng)新之路,將研究成果進行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,成功打造出一家國內(nèi)碳化硅晶圓的龍頭企業(yè)-北京天科合達半導體股份有限公司,打破了國外的技術壟斷,成為國內(nèi)碳化硅半導體晶圓產(chǎn)業(yè)的 ...

這些年來,天科合達致力于提高碳化硅晶體的質(zhì)量,以及大尺寸碳化硅晶體的研發(fā),將先進的碳化硅晶體生長和加工技術產(chǎn)業(yè)化,大規(guī)模生產(chǎn)和銷售具有自主知識產(chǎn)權的碳化硅晶片。 10年自主創(chuàng)新之路 美國科銳公司作為碳化硅襯底提供商,曾長期壟斷國際市場

1.總投資359億!積塔半導體特色工藝生產(chǎn)線主設備搬入 2.總投資5億,江蘇天科合達半導體碳化硅項目順利建成投產(chǎn) 3.【音頻】一句話點評|大陸創(chuàng)業(yè)半導體公司未來幾年并購重組增多;指紋識別的變動都是為了全面屏

記者日前在采訪中發(fā)現(xiàn),2006年公司成立以來,面對碳化硅制備過程中的諸多技術難題以及國外的技術封鎖,天科合達不僅通過自身努力縮小了與國外的技術差距,還走出了一條值得借鑒的自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化之路。 應用前景廣闊

2016年4月11日,北京天科合達藍光半導體有限公司更名為"北京天科合達半導體股份有限公司"。 天科合達的成立距離美國Cree公司推出SiC晶片(1991年)已經(jīng)過了15年,而我國對SiC晶體材料的研究從20世紀90年代末才開始。

近日,在北京市科委組織推動下,由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦,北京華商三優(yōu)新能源科技有限公司、泰科天潤半導體科技(北京)有限公司承辦的"碳化硅新型充電樁示范工程啟動暨技術與應用研討會"在京召開。同時市科委開展體制機制創(chuàng)新,積極對接國家重大項目,聯(lián)合順義區(qū) ...

江蘇天科合達半導體有限公司成立于2018年10月25日,位于徐州市經(jīng)開區(qū)創(chuàng)業(yè)路26號,注冊資本10000萬元,主要從事碳化硅半導體襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是北京天科合達半導體股份有限公司的全資子公司。

"創(chuàng)新從來都是九死一生",道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強的道路上,未來還充滿了許許多多的坎坷險阻,還有很多需要解決的科學和技術難題。隨著碳化硅器件向大功率、高電壓方向的發(fā)展,對晶體的質(zhì)量要求越來越高,缺陷越來越少;為降低成本,晶體的尺寸需要越做越大。

美國科銳公司作為碳化硅襯底提供商,曾長期壟斷國際市場。 2011年,科銳公司發(fā)布了6英寸碳化硅晶體,同年,天科合達才開始量產(chǎn)4英寸碳化硅晶體。 2013年,陳小龍團隊開始進行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作,用了近一年的時間,團隊研發(fā)的國產(chǎn)6英寸碳化硅單晶襯底問世。

同時,北京聚集了天科合達公司、泰科天潤公司、世紀金光公司等相關生產(chǎn)制造企業(yè),在國內(nèi)率先實現(xiàn)了6英寸碳化硅晶圓的小批量制備和二極管等碳化硅相關器件的規(guī)?;a(chǎn),初步形成碳化硅材料及器件的研發(fā)、生產(chǎn),應用等各環(huán)節(jié)相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈,為未來

發(fā)揚團隊精神 實現(xiàn)自主創(chuàng)新 大中 10兆瓦高溫氣冷堆是國家"863計劃"的一項項目,該項目自1986年列入"863計劃"到2003年滿功率發(fā)電,前后歷時17年。模塊式高溫氣冷堆屬于當前國際上第四代先進核動力堆,我國研制成功具有自主知識產(chǎn)權 ...

還走出了一條值得借鑒的自主創(chuàng)新 ... 天科合達的4英寸碳化硅晶體2011年已經(jīng)準備進入 量產(chǎn)階段,并從2013年開始進行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作 ...

天科合達的成立距離美國Cree公司推出SiC晶片(1991年)已經(jīng)過了15年,而我國對SiC晶體材料的研究從20世紀90年代末才開始。 天科合達SiC襯底材料的技術源于物理所,在天科合達成立之前,物理所的SiC晶體材料技術一直沒有實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化。

原始創(chuàng)新,以期更多的科研成果造福于民,回饋 社會!(物理所科技處 供稿) 科技成果的推廣與開發(fā) 物理所在立足基礎前沿研究的同時,充分發(fā) 揮科技資源和人才優(yōu)勢,積極開展面向國家戰(zhàn)略 需求和國民經(jīng)濟主戰(zhàn)場的應用基礎研究及高新技 術研究。

碳化硅已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。作為新興的戰(zhàn)略先導產(chǎn)業(yè),碳化硅是制造,股吧,金融界愛股,碳化硅已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。作為新興的戰(zhàn)略先導產(chǎn)業(yè),碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料,也是發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)的關鍵基礎材料。

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烽火通信堅持走自主創(chuàng)新之路,投入大量資源進行技術與流程創(chuàng)新,從而在光通信領域形成相對競爭優(yōu)勢。在過去十年中,這家公司形成了光網(wǎng)絡、光纖光纜、光纖接入三大支柱產(chǎn)品線,是業(yè)界一家形成光通信領域全系列解決方案的供應商。

其實,即使在科銳所壟斷的碳化硅襯底領域,也有中國人探索的足跡。據(jù)報道,目前國內(nèi)能生產(chǎn)和加工碳化硅襯底的公司有北京天科合達、山東天岳等。 2015年7月,山東天岳自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品面世。
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